English
|
Español
|
Japanese
|
Pусский
|
Casa
Centro de producto
Centro de producto
Plan de tratamiento
CoolSliming™ Fat Freezer
EOS-ICE Pro™
Bajar de peso
Depilación
Regeneración de la piel
Ver Todos Los Productos
Ver Todos Los Productos
Noticias
Servicio
Servicio del producto
Literatura del producto
Comentarios del cliente
Entrenamiento
Acerca de nosotros
Perfil de la empresa
Certificado
Equipo de la empresa
Cultura Corporativa
Contáctanos
Correo:
info@pzlaser.com
Casa
>
Servicio
>
Literatura del producto
>
《Hair structures are effectively altered during 810 nm diode...
《Hair structures are effectively altered during 810 nm diode laser hair epilation at low fluences 》_compressed.pdf
2019-08-07 09:55:05
Hair structures are effectively altered during 810 nm diode laser hair epilation at low fluences
Share With:
Anterior:
《Safety and efficacy of low-fluence, high-repetition rate versus，high-fluence, low-repetition rate 810-nm diode laser for permanent hair removal – A split-face comparison study》_compressed.pdf
Siguiente:
《Clinical Assessment of a New 755nm Diode Laser for Hair Removal Efficacy, Safety, and Practicality in 56 Patients》.pdf
